Qualcomm und Samsung bestätigten heute die Zusammenarbeit an dem neuen Snapdragon 835 Prozessor.
Damit führen die beiden das Erfolgskonzept bei der Prozessorentwicklung weiter fort. Schon die beiden Prozessoren Snapdragon 820 und 821 wurden gemeinschaftlich von Qualcomm mit Samsung im 14mn Verfahren gefertigt. Und die beiden Prozessoren sind neben dem Samsung Exynos 8890 und Apples A10 des iPhone 7 die besten und schnellsten SoCs auf dem Markt.
Zudem war es von Qualcomm eine sehr gute Entscheidung nicht mehr bei dem Kampf, wer hat die meisten Kerne mitzumachen. Entscheidend ist die Effizienz und Energiesparpotential und das gewinnt man hauptsächlich durch das Fertigungsverfahren.
Und da wird Qualcomm gemeinsam mit Samsung noch mal eine Schippe drauflegen und den SD835 im 10mn FinFET Verfahren produzieren. Das gab man bereits im Oktober bei Samsung bekannt. Damit ist es dann auch der erste Prozessor überhaupt, der in diesem Verfahren hergestellt wird und soll damit noch mal 30% effizienter und 27% schneller sein. Das sind so Zahlen, die für uns nur schwer vorstellbar sind, wenn man bedenkt auf welchen Level sich die mobilen Prozessoren jetzt schon befinden.
Offiziell heißt es dazu:
We are excited to continue working together with Samsung in developing products that lead the mobile industry.
Using the new 10nm process node is expected to allow our premium tier Snapdragon 835 processor to deliver greater power efficiency and increase performance while also allowing us to add a number of new capabilities that can improve the user experience of tomorrow’s mobile devices.
Zudem wird es mit dem SD835 auch wieder die Schnellladefunktion verbessert und kündigt Quick Charge 4.0 an.
Damit soll das Aufladen nun 2,5 x so schnell gehen, wie mit herkömmlichen Ladetechniken und unterstützt damit den ganz neuen USB-Standard USB-PD mit 5 bis 20 Volt 5 A 100 W. Dabei ist QC 4.0 bis zu 5 Grad kühler und 20% schneller beim Aufladen. Wir sind gespannt, wie das in der Praxis aussehen wird.
Quelle: Qualcomm
